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Interconnessione modulo fotocamera rigido-flessibile HDI

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Il presente documento definisce i requisiti di progettazione, fabbricazione e convalida per un Circuito stampato rigido-flessibile ad alta densità di interconnessione (HDI). Il componente funge da interconnessione primaria tra un sensore di immagine CMOS (CIS) ad alta risoluzione e la scheda logica host.

Funzione primaria: Trasmissione di segnali differenziali MIPI CSI-2/C-PHY ad alta velocità.
Limiti principali:

  1. Tecnologia Micro-via: 2+N+2 o qualsiasi altro giocatore Struttura HDI.
  2. Integrità del segnale: Supporto per velocità di trasferimento dati >2,5 Gbps/lane.
  3. Affidabilità meccanica: Resistenza alla flessione dinamica >100.000 cicli.

SPECIFICHE DEI MATERIALI E DELL'ACCUMULO

Per affrontare il Transizione da flessibile a rigido e controllo dell'impedenza, la scelta dei materiali è fondamentale.

Struttura a strati (struttura: 4 strati rigido-flessibile)

  • Tipo di struttura: 2R + 2F + 2R (struttura con intercapedine d'aria preferibile per garantire flessibilità).
  • Materiale rigido: FR-4 ad alto tenore di carbonio (Tg > 170°C), senza perdite e senza alogeni.
  • Materiale flessibile (critico):
    • Base: Poliammide (PI) senza adesivo. I substrati a base adesiva sono severamente vietato a causa di problemi di affidabilità.
    • Rame: Rame laminato ricotto (RA) per strati flessibili (direzione del grano parallela al percorso del segnale). Il rame elettrodepositato (ED) è consentito solo per gli strati rigidi esterni.
  • Copertura: Rivestimento in poliimmide (12,5 µm PI + 15 µm adesivo).

Esempio di impilamento (spessore totale: 0,35 mm ± 10%)

StratoTipoMaterialeFunzioneNota
L1Direttore d'orchestraRame (12 µm + placcatura)Componente/PadRigido
P1DielettricoPreimpregnato (106/1080)DielettricoRigido
L2Direttore d'orchestraRame (12 µm)Piano GNDRigido
C1AdesivoAcrilico/EpossidicoBondplyPreimpregnato senza flusso
L3Direttore d'orchestraRame RA (12 µm)Segnali MIPINucleo flessibile
D1DielettricoPoliimmide (25 µm)Dielettrico centraleNucleo flessibile
L4Direttore d'orchestraRame RA (12 µm)GND/AlimentazioneNucleo flessibile
C2AdesivoAcrilico/EpossidicoBondplyPreimpregnato senza flusso
L5Direttore d'orchestraRame (12 µm)Aereo elettricoRigido
P2DielettricoPreimpregnato (106/1080)DielettricoRigido
L6Direttore d'orchestraRame (12 µm + placcatura)Componente/PadRigido

PROCESSO TECNOLOGICO MICRO-VIA E HDI

Per affrontare il Processo HDI con micro-via sfida:

Via Architettura

  • Via cieche: Forato al laser, L1-L2 e L6-L5.
    • Diametro: 0,10 mm (4 mil).
    • Tastiera Capture Pad: 0,25 mm.
  • Vie interrate: Forato meccanicamente, L2-L5 (attraverso il nucleo flessibile).
  • Placcatura:
    • I fori ciechi devono essere Riempito di rame (compatibile con Via-in-Pad) per garantire una superficie piana per il wire bonding o il montaggio CSP.
    • Lo spessore dell'avvolgimento soddisfa IPC-6013 Classe 3 requisiti.

Controllo del processo di foratura laser

  • Desmear: La pulizia al plasma (plasma O2/CF4) è obbligatoria dopo la foratura laser per rimuovere la carbonizzazione dalla superficie in poliimmide prima della placcatura.
  • Registrazione: La precisione di allineamento del trapano laser deve essere compresa tra ±15 µm rispetto ai pad L2/L5.

PROGETTAZIONE MECCANICA E CONTROLLO DELLA PIEGATURA

Per affrontare Controllo del raggio di curvatura e Transizione da flessibile a rigido:

Regole di progettazione dell'area di piegatura

  • Costruzione dell'asse neutro: Il livello del segnale ad alta velocità (L3) deve essere posizionato sull'asse neutro meccanico dello stack-up flessibile per ridurre al minimo lo stress di trazione/compressione durante la flessione.
  • Geometria tracciata:
    • Le tracce nell'area di curvatura devono essere perpendicolari (90°) all'asse di curvatura.
    • NO VIAS sono consentiti nella zona di flessione dinamica.
    • Prevenzione delle travi a I: I conduttori L3 e L4 devono essere sfalsati (offset) per mantenere efficacemente la flessibilità; non impilare il rame direttamente sopra il rame.

Zona di transizione (da rigido a flessibile)

  • Lacrime: Tutti i collegamenti trace-to-pad nella zona di transizione devono utilizzare connettori a goccia per evitare la concentrazione di sollecitazioni.
  • Apertura Coverlay: La terminazione del rivestimento deve sovrapporsi alla sezione rigida di almeno 0,2 mm.
  • Strategia di irrigidimento:
    • Utilizza un irrigidimento graduato avvicinare o garantire che l'estremità dell'irrigiditore PI si trovi a 0,5 mm dal bordo rigido della scheda per evitare un punto di sollecitazione eccessiva (punto di concentrazione della sollecitazione).
    • È necessario un dispositivo di scarico della trazione epossidico (colla UV) all'interfaccia rigido-flessibile.

INTEGRITÀ DEL SEGNALE (ROUTING AD ALTA VELOCITÀ)

Per affrontare il Segnale ad alta velocità requisito:

Linee guida per il routing MIPI CSI-2

  • Profilo di impedenza:
    • Differential Impedance: 100Ω±10%100Ω±10% (or 85Ω85Ω depending on PHY spec).
    • Single-ended Impedance: 50Ω±10%50Ω±10%.
  • Riferimento a terra: Tutte le tracce ad alta velocità su L3 devono fare riferimento a un piano GND solido su L4. Rame incrociato su L4 è consentita la flessibilità, ma il passo del boccaporto deve essere <λ/20<λ/20 della frequenza più alta (passo di circa 0,1 mm).
  • Schermatura EMI: Applicazione di Pellicola schermante in pasta d'argento (pellicola EMI) sugli strati esterni dell'area flessibile è necessario per impedire il crosstalk e le emissioni irradiate.

TEST DI AFFIDABILITÀ E QUALIFICAZIONE

Per affrontare Test di affidabilità meccanica:

I lotti prodotti devono essere sottoposti ai seguenti test di qualificazione basati su IPC-TM-650 standard.

Elemento di provaCondizioneCriteri di superamento
MIT (Prova di impulso meccanico)Raggio di curvatura: 1,5 mm1,5mm (oppure 10×10× spessore flessibile)<br>Velocità: 60 cicli/min<br>Angolo: ±90∘±90∘&gt;100.000&gt;100.000 cicli<br>Variazione della resistenza <10%<10%
Shock termico−40 °C−40 °CC a +125∘C+125∘C, 30 min di permanenza, 500 cicliNessuna delaminazione<br>Connettività verificata
Stress test di interconnessione (IST)Simula più cicli di rifusione (260 °C260 °CC)Nessuna crepa nel barilotto nei micro-via
Resistenza allo strappoRivestimento in rame / Rinforzo flessibile>0,8N/mm>0,8N/mm
Test CAFControllo della crescita del filamento anodico conduttivoElevata resistenza mantenuta

RISULTATI FINALI DELLA PRODUZIONE (DFM)

Per la fabbricazione è necessario il seguente pacchetto di dati:

  1. File ODB++ o Gerber X2: Compresi strati specifici per Coverlay, rinforzo (SUS/FR4) e pellicola EMI.
  2. Netlist IPC-356: Per test elettrici di apertura/cortocircuito.
  3. Disegno fantastico: È necessario specificare:
    • Direzione delle fibre del rame RA.
    • Definizione delle aree “Air-Gap” e “Bonded”.
    • Progettazione di coupon di impedenza per test TDR.

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